Nur als Referenz
Artikelnummer | IPB120N06S4H1ATMA2 |
LIXINC Part # | IPB120N06S4H1ATMA2 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IPB120N06S4H1ATMA2 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 07 - Jul 11 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | IPB120N06S4H1ATMA2 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 60 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 200µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 270 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 21900 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | PG-TO263-3-2 |
Paket / Koffer: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Auf Lager | 11738 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.78000 | $3.78 |
1000 | $1.65510 | $1655.1 |
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