NVMYS2D1N04CLTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMYS2D1N04CLTWG

NVMYS2D1N04CLTWG

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Artikelnummer	NVMYS2D1N04CLTWG
LIXINC Part #	NVMYS2D1N04CLTWG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVMYS2D1N04CLTWG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

NVMYS2D1N04CLTWG Spezifikationen

Artikelnummer:	NVMYS2D1N04CLTWG
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	29A (Ta), 132A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 90µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3100 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.9W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	LFPAK4 (5x6)
Paket / Koffer:	SOT-1023, 4-LFPAK

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