SQD10N30-330H_GE3 | Vishay / Siliconix SQD10N30-330H_GE3 | SQD10N30-330H

SQD10N30-330H_GE3

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SQD10N30-330H_GE3
LIXINC Part #	SQD10N30-330H_GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SQD10N30-330H_GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SQD10N30-330H_GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SQD10N30-330H_GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	300 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	330mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	47 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2190 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	107W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252AA
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63