IPI076N12N3GAKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPI076N12N3GAKSA1 | IPI076N12N3GAKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI076N12N3GAKSA1

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Artikelnummer	IPI076N12N3GAKSA1
LIXINC Part #	IPI076N12N3GAKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPI076N12N3GAKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPI076N12N3GAKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPI076N12N3GAKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	120 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	101 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6640 pF @ 60 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	188W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO262-3
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA