SIR692DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix SIR692DP-T1-RE3 | SIR692DP-T1-RE3 Inventory, Best Pricing

SIR692DP-T1-RE3

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Artikelnummer	SIR692DP-T1-RE3
LIXINC Part #	SIR692DP-T1-RE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SIR692DP-T1-RE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SIR692DP-T1-RE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SIR692DP-T1-RE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	ThunderFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	250 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	24.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	7.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	63mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 7.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1405 pF @ 125 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	104W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer:	PowerPAK® SO-8