G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D | G3R45MT17D Inventory, Best Pricing

G3R45MT17D

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	G3R45MT17D
LIXINC Part #	G3R45MT17D
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	G3R45MT17D PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

G3R45MT17D Spezifikationen

Artikelnummer:	G3R45MT17D
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	GeneSiC Semiconductor
Serie:	G3R™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1700 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	61A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	15V
rds auf (max) @ id, vgs:	58mOhm @ 40A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	2.7V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	182 nC @ 15 V
vgs (max):	±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4523 pF @ 1000 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	438W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3
Paket / Koffer:	TO-247-3