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Artikelnummer | DMT5015LFDF-7 |
LIXINC Part # | DMT5015LFDF-7 |
Hersteller | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | DMT5015LFDF-7 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 09 - Jul 13 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | DMT5015LFDF-7 |
Marke: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 50 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 9.1A (Ta) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 15mOhm @ 8A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 14 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±16V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 902.7 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 820mW (Ta) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | U-DFN2020-6 (Type F) |
Paket / Koffer: | 6-UDFN Exposed Pad |
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Auf Lager | 2147484570 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.63000 | $0.63 |
3000 | $0.26003 | $780.09 |
6000 | $0.24502 | $1470.12 |
15000 | $0.23000 | $3450 |
30000 | $0.21949 | $6584.7 |
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