SCTH35N65G2V-7AG | STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG | SCTH35N65G2V-7AG Inventory, Best Pricing

SCTH35N65G2V-7AG

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Artikelnummer	SCTH35N65G2V-7AG
LIXINC Part #	SCTH35N65G2V-7AG
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SCTH35N65G2V-7AG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 06 - Jul 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SCTH35N65G2V-7AG Spezifikationen

Artikelnummer:	SCTH35N65G2V-7AG
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	45A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	18V, 20V
rds auf (max) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3.2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 20 V
vgs (max):	+22V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1370 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	208W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	H2PAK-7
Paket / Koffer:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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