Nur als Referenz
Artikelnummer | PSMN2R0-30YL,115 |
LIXINC Part # | PSMN2R0-30YL,115 |
Hersteller | Nexperia |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | PSMN2R0-30YL,115 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 06 - Jul 10 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | PSMN2R0-30YL,115 |
Marke: | Nexperia |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Nexperia |
Serie: | TrenchMOS™ |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 30 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 2mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.15V @ 1mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 64 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 3980 pF @ 12 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 97W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | LFPAK56, Power-SO8 |
Paket / Koffer: | SC-100, SOT-669 |
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Auf Lager | 15071 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.91000 | $0.91 |
1500 | $0.47850 | $717.75 |
3000 | $0.44660 | $1339.8 |
7500 | $0.42427 | $3182.025 |
10500 | $0.40832 | $4287.36 |
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