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AS4C4M32S-6BIN

AS4C4M32S-6BIN
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Artikelnummer AS4C4M32S-6BIN
LIXINC Part # AS4C4M32S-6BIN
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Kategorie integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle AS4C4M32S-6BIN PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AS4C4M32S-6BIN Spezifikationen

Artikelnummer:AS4C4M32S-6BIN
Marke:Alliance Memory, Inc.
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:Speicher
Hersteller:Alliance Memory, Inc.
Serie:-
Paket:Tray
Teilstatus:Active
Speichertyp:Volatile
Speicherformat:DRAM
Technologie:SDRAM
Speichergröße:128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle:Parallel
Taktfrequenz:166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:2ns
Zugriffszeit:5.4 ns
Spannungsversorgung:3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:90-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:90-TFBGA (8x13)

AS4C4M32S-6BIN Unterlagen

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