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AS4C4M32S-6BIN

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Artikelnummer	AS4C4M32S-6BIN
LIXINC Part #	AS4C4M32S-6BIN
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AS4C4M32S-6BIN PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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AS4C4M32S-6BIN Spezifikationen

Artikelnummer:	AS4C4M32S-6BIN
Marke:	Alliance Memory, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Alliance Memory, Inc.
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM
Speichergröße:	128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	2ns
Zugriffszeit:	5.4 ns
Spannungsversorgung:	3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	90-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	90-TFBGA (8x13)

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