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TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6
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Artikelnummer TC58BYG0S3HBAI6
LIXINC Part # TC58BYG0S3HBAI6
Hersteller Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Kategorie integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle TC58BYG0S3HBAI6 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TC58BYG0S3HBAI6 Spezifikationen

Artikelnummer:TC58BYG0S3HBAI6
Marke:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:Speicher
Hersteller:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Serie:Benand™
Paket:Tray
Teilstatus:Active
Speichertyp:Non-Volatile
Speicherformat:FLASH
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße:1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Taktfrequenz:-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:25ns
Zugriffszeit:25 ns
Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:67-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:67-VFBGA (6.5x8)

TC58BYG0S3HBAI6 Unterlagen

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