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Artikelnummer | NGTB20N120IHRWG |
LIXINC Part # | NGTB20N120IHRWG |
Hersteller | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln |
Beschreibung | IGBT TRENCH/FS 1200V 40A TO247 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | NGTB20N120IHRWG PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | NGTB20N120IHRWG |
Marke: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - igbts - einzeln |
Hersteller: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
igbt-Typ: | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1200 V |
Strom - Kollektor (ic) (max): | 40 A |
Strom - Kollektor gepulst (icm): | 120 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.45V @ 15V, 20A |
Leistung max: | 384 W |
Schaltenergie: | 450µJ (off) |
Eingabetyp: | Standard |
Gate-Gebühr: | 225 nC |
td (ein/aus) bei 25 °c: | -/235ns |
Testbedingung: | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
Rückwärtserholzeit (trr): | - |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Paket / Koffer: | TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-247 |
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Auf Lager | 11807 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.36000 | $5.36 |
30 | $4.55127 | $136.5381 |
120 | $3.94436 | $473.3232 |
510 | $3.35776 | $1712.4576 |
1020 | $2.83185 | $2888.487 |
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