FGH75T65SQDT-F155 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGH75T65SQDT-F155 | FGH75T65SQDT-F155 Inventory, Best Pricing

FGH75T65SQDT-F155

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Artikelnummer	FGH75T65SQDT-F155
LIXINC Part #	FGH75T65SQDT-F155
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	650V 75A FS4 TRENCH IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FGH75T65SQDT-F155 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FGH75T65SQDT-F155 Spezifikationen

Artikelnummer:	FGH75T65SQDT-F155
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	150 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	300 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 75A
Leistung max:	375 W
Schaltenergie:	300µJ (on), 70µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	128 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	23ns/120ns
Testbedingung:	400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	76 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3

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