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RGT80TS65DGC11

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Artikelnummer	RGT80TS65DGC11
LIXINC Part #	RGT80TS65DGC11
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RGT80TS65DGC11 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RGT80TS65DGC11 Spezifikationen

Artikelnummer:	RGT80TS65DGC11
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	70 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 40A
Leistung max:	234 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	79 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	34ns/119ns
Testbedingung:	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	58 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247N