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FF150R12ME3GBOSA1

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Artikelnummer	FF150R12ME3GBOSA1
LIXINC Part #	FF150R12ME3GBOSA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MODULE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FF150R12ME3GBOSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FF150R12ME3GBOSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	FF150R12ME3GBOSA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Single Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1.2 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	200 A
Leistung max:	695 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	5 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	10.5 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module