IFF300B12N2E4PB11BPSA1 | IR (Infineon Technologies) IFF300B12N2E4PB11BPSA1 | IFF300B12N2E4PB11BPSA1 Inventory, Best Pricing

IFF300B12N2E4PB11BPSA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IFF300B12N2E4PB11BPSA1
LIXINC Part #	IFF300B12N2E4PB11BPSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 600A 20MW
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IFF300B12N2E4PB11BPSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IFF300B12N2E4PB11BPSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IFF300B12N2E4PB11BPSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	600 A
Leistung max:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 300A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	18.5 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module