FS900R08A2P2B32BOSA1 | IR (Infineon Technologies) FS900R08A2P2B32BOSA1 | FS900R08A2P2B32BOSA1 Inventory, Best Pricing

FS900R08A2P2B32BOSA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	FS900R08A2P2B32BOSA1
LIXINC Part #	FS900R08A2P2B32BOSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MODULE PACK2 DRV HYBRID2-1
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FS900R08A2P2B32BOSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

FS900R08A2P2B32BOSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	FS900R08A2P2B32BOSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Last Time Buy
igbt-Typ:	-
Aufbau:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	-
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Leistung max:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Eingangskapazität (cies) @ vce:	-
Eingang:	-
NTC-Thermistor:	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-