BUK655R0-75C,127 | Rochester Electronics BUK655R0-75C,127 | BUK655R0-75C,127 Inventory, Best Pricing

BUK655R0-75C,127

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Artikelnummer	BUK655R0-75C,127
LIXINC Part #	BUK655R0-75C,127
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BUK655R0-75C,127 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BUK655R0-75C,127 Spezifikationen

Artikelnummer:	BUK655R0-75C,127
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	75 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	120A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	5.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	177 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	11.4 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	263W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB
Paket / Koffer:	TO-220-3