SISS60DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SISS60DN-T1-GE3 | SISS60DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SISS60DN-T1-GE3

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Artikelnummer	SISS60DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SISS60DN-T1-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SISS60DN-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SISS60DN-T1-GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SISS60DN-T1-GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET® Gen IV
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.31mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	85.5 nC @ 10 V
vgs (max):	+16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3960 pF @ 15 V
fet-Funktion:	Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.):	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer:	PowerPAK® 1212-8S