IMBF170R450M1XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IMBF170R450M1XTMA1 | IMBF170R450M1XTMA1 Inventory, Best Pricing

IMBF170R450M1XTMA1

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Artikelnummer	IMBF170R450M1XTMA1
LIXINC Part #	IMBF170R450M1XTMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IMBF170R450M1XTMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IMBF170R450M1XTMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IMBF170R450M1XTMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolSiC™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1700 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9.8A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	12V, 15V
rds auf (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 12 V
vgs (max):	+20V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	610 pF @ 1000 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	107W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO263-7
Paket / Koffer:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA