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CSD13306W

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Artikelnummer	CSD13306W
LIXINC Part #	CSD13306W
Hersteller	Texas Instruments
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CSD13306W PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 15 - Jul 19 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

CSD13306W Spezifikationen

Artikelnummer:	CSD13306W
Marke:	Texas Instruments
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Texas Instruments
Serie:	NexFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	12 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11.2 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1370 pF @ 6 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.9W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	6-DSBGA (1x1.5)
Paket / Koffer:	6-UFBGA, DSBGA