IPD85P04P407ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPD85P04P407ATMA2 | IPD85P04P407ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD85P04P407ATMA2

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Artikelnummer	IPD85P04P407ATMA2
LIXINC Part #	IPD85P04P407ATMA2
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPD85P04P407ATMA2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Aug 13 - Aug 17 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPD85P04P407ATMA2 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPD85P04P407ATMA2
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	85A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	7.3mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	89 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6085 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	88W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO252-3-313
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63