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Artikelnummer | NTD4809NA-1G |
LIXINC Part # | NTD4809NA-1G |
Hersteller | Rochester Electronics |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | NTD4809NA-1G PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Aug 13 - Aug 17 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | NTD4809NA-1G |
Marke: | Rochester Electronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Rochester Electronics |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Obsolete |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 30 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 11.5V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 9mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 13 nC @ 4.5 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 1.456 pF @ 12 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | I-PAK |
Paket / Koffer: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Auf Lager | 86803 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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