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Artikelnummer | STB33N65M2 |
LIXINC Part # | STB33N65M2 |
Hersteller | STMicroelectronics |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | STB33N65M2 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 02 - Jul 06 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | STB33N65M2 |
Marke: | STMicroelectronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Serie: | MDmesh™ M2 |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 650 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 24A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 140mOhm @ 12A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 41.5 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±25V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 1790 pF @ 100 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 190W (Tc) |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | D2PAK |
Paket / Koffer: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Auf Lager | 13735 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.21000 | $3.21 |
1000 | $1.74532 | $1745.32 |
2000 | $1.66764 | $3335.28 |
5000 | $1.61215 | $8060.75 |
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