FDB12N50TM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDB12N50TM

FDB12N50TM

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Artikelnummer	FDB12N50TM
LIXINC Part #	FDB12N50TM
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDB12N50TM PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 04 - Jul 08 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FDB12N50TM Spezifikationen

Artikelnummer:	FDB12N50TM
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	UniFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	500 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1315 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	165W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D²PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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