PSMN070-200B,118 | Rochester Electronics PSMN070-200B,118 | PSMN070-200B,118 Inventory, Best Pricing

PSMN070-200B,118

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	PSMN070-200B,118
LIXINC Part #	PSMN070-200B,118
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PSMN070-200B,118 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 04 - Jul 08 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

PSMN070-200B,118 Spezifikationen

Artikelnummer:	PSMN070-200B,118
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	35A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	77 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4570 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	250W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB