DMN6013LFGQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN6013LFGQ-13

DMN6013LFGQ-13

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Artikelnummer	DMN6013LFGQ-13
LIXINC Part #	DMN6013LFGQ-13
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DMN6013LFGQ-13 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DMN6013LFGQ-13 Spezifikationen

Artikelnummer:	DMN6013LFGQ-13
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10.3A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	55.4 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2577 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerDI3333-8
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN