TPN4R303NL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

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Artikelnummer	TPN4R303NL,L1Q
LIXINC Part #	TPN4R303NL,L1Q
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TPN4R303NL,L1Q PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TPN4R303NL,L1Q Spezifikationen

Artikelnummer:	TPN4R303NL,L1Q
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	40A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	14.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1400 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	700mW (Ta), 34W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN