BSZ086P03NS3EGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ086P03NS3EGATMA1 | BSZ086P03NS3EGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ086P03NS3EGATMA1

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Artikelnummer	BSZ086P03NS3EGATMA1
LIXINC Part #	BSZ086P03NS3EGATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSZ086P03NS3EGATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSZ086P03NS3EGATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSZ086P03NS3EGATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	13.5A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.1V @ 105µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	57.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4785 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TSDSON-8
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN