APTM120DA30CT1G | Roving Networks / Microchip Technology APTM120DA30CT1G

APTM120DA30CT1G

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Artikelnummer	APTM120DA30CT1G
LIXINC Part #	APTM120DA30CT1G
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APTM120DA30CT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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APTM120DA30CT1G Spezifikationen

Artikelnummer:	APTM120DA30CT1G
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	POWER MOS 8™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	31A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	560 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	14560 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	657W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SP1
Paket / Koffer:	SP1

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