SI3585CDV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI3585CDV-T1-GE3 | SI3585CDV-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI3585CDV-T1-GE3

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Artikelnummer	SI3585CDV-T1-GE3
LIXINC Part #	SI3585CDV-T1-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SI3585CDV-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SI3585CDV-T1-GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SI3585CDV-T1-GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.9A, 2.1A
rds auf (max) @ id, vgs:	58mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	4.8nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	150pF @ 10V
Leistung max:	1.4W, 1.3W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten:	6-TSOP

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