BSM180D12P3C007 | ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007 | BSM180D12P3C007 Inventory, Best Pricing

BSM180D12P3C007

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Artikelnummer	BSM180D12P3C007
LIXINC Part #	BSM180D12P3C007
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	SIC POWER MODULE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSM180D12P3C007 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSM180D12P3C007 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSM180D12P3C007
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	180A (Tc)
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 50mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	900pF @ 10V
Leistung max:	880W
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module

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