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NTE2960

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Artikelnummer	NTE2960
LIXINC Part #	NTE2960
Hersteller	NTE Electronics, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTE2960 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NTE2960 Spezifikationen

Artikelnummer:	NTE2960
Marke:	NTE Electronics, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	NTE Electronics, Inc.
Serie:	-
Paket:	Bag
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	900V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	7A
rds auf (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1380pF @ 25V
Leistung max:	40W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220 Full Pack

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