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2N6667

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Artikelnummer	2N6667
LIXINC Part #	2N6667
Hersteller	NTE Electronics, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	T-PNP SI-GEN PUR AMP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2N6667 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 31 - Nov 04 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2N6667 Spezifikationen

Artikelnummer:	2N6667
Marke:	NTE Electronics, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	NTE Electronics, Inc.
Serie:	-
Paket:	Bag
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	60 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	3V @ 100mA, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1mA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 5A, 3V
Leistung max:	2 W
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB

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