BD809G

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Artikelnummer BD809G
LIXINC Part # BD809G
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung TRANS NPN 80V 10A TO220AB
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle BD809G PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 31 - Nov 04 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BD809G Spezifikationen

Artikelnummer:BD809G
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Active
Transistortyp:NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):80 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:1.1V @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max):1mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:15 @ 4A, 2V
Leistung max:90 W
Frequenz - Übergang:1.5MHz
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB

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