2N6667

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Artikelnummer 2N6667
LIXINC Part # 2N6667
Hersteller NTE Electronics, Inc.
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung T-PNP SI-GEN PUR AMP
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle 2N6667 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 31 - Nov 04 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

2N6667 Spezifikationen

Artikelnummer:2N6667
Marke:NTE Electronics, Inc.
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:NTE Electronics, Inc.
Serie:-
Paket:Bag
Teilstatus:Active
Transistortyp:PNP - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):60 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:3V @ 100mA, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max):1mA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 5A, 3V
Leistung max:2 W
Frequenz - Übergang:-
Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB

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