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2SA1669-TB-E

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Artikelnummer	2SA1669-TB-E
LIXINC Part #	2SA1669-TB-E
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SA1669-TB-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SA1669-TB-E Spezifikationen

Artikelnummer:	2SA1669-TB-E
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	15V
Frequenz - Übergang:	3GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	2dB @ 900MHz
gewinnen:	5dB
Leistung max:	250mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	15 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50mA
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	3-CP

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