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HSG1002VE-TL-E

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Artikelnummer	HSG1002VE-TL-E
LIXINC Part #	HSG1002VE-TL-E
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HSG1002VE-TL-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HSG1002VE-TL-E Spezifikationen

Artikelnummer:	HSG1002VE-TL-E
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	3.5V
Frequenz - Übergang:	38GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
gewinnen:	8dB ~ 19.5dB
Leistung max:	200mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (ic) (max):	35mA
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	4-SMD, Gull Wing
Gerätepaket des Lieferanten:	4-MFPAK

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