NESG2101M05-T1-A | Rochester Electronics NESG2101M05-T1-A | NESG2101M05-T1-A Inventory, Best Pricing

NESG2101M05-T1-A

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Artikelnummer	NESG2101M05-T1-A
LIXINC Part #	NESG2101M05-T1-A
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NESG2101M05-T1-A PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NESG2101M05-T1-A Spezifikationen

Artikelnummer:	NESG2101M05-T1-A
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	5V
Frequenz - Übergang:	17GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
gewinnen:	11dB ~ 19dB
Leistung max:	500mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	130 @ 15mA, 2V
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-343F
Gerätepaket des Lieferanten:	M05

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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