RN1309,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1309,LF

RN1309,LF

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Artikelnummer	RN1309,LF
LIXINC Part #	RN1309,LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RN1309,LF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RN1309,LF Spezifikationen

Artikelnummer:	RN1309,LF
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	47 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 5mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	250 MHz
Leistung max:	100 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-70, SOT-323
Gerätepaket des Lieferanten:	USM

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.03514	$0.03514
3000	$0.03514	$105.42

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