DTC115GU3HZGT106 | ROHM Semiconductor DTC115GU3HZGT106 | DTC115GU3HZGT106 Inventory, Best Pricing

DTC115GU3HZGT106

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Artikelnummer	DTC115GU3HZGT106
LIXINC Part #	DTC115GU3HZGT106
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DTC115GU3HZGT106 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DTC115GU3HZGT106 Spezifikationen

Artikelnummer:	DTC115GU3HZGT106
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	-
Widerstand - Emitter Basis (r2):	100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	82 @ 5mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	250 MHz
Leistung max:	200 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-70, SOT-323
Gerätepaket des Lieferanten:	UMT3

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