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STG3P2M10N60B

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Artikelnummer	STG3P2M10N60B
LIXINC Part #	STG3P2M10N60B
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STG3P2M10N60B PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STG3P2M10N60B Spezifikationen

Artikelnummer:	STG3P2M10N60B
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	SEMITOP®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	19 A
Leistung max:	56 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 7A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	10 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	0.72 nF @ 25 V
Eingang:	Single Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SEMITOP®2
Gerätepaket des Lieferanten:	SEMITOP®2