NXH350N100H4Q2F2P1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH350N100H4Q2F2P1G | NXH350N100H4Q2F2P1G Inventory, Best Pricing

NXH350N100H4Q2F2P1G

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Artikelnummer	NXH350N100H4Q2F2P1G
LIXINC Part #	NXH350N100H4Q2F2P1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NXH350N100H4Q2F2P1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NXH350N100H4Q2F2P1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NXH350N100H4Q2F2P1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Three Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1000 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	303 A
Leistung max:	276 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 375A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	24.146 nF @ 20 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	42-PIM/Q2PACK (93x47)