SI7214DN-T1-E3

SI7214DN-T1-E3
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Artikelnummer SI7214DN-T1-E3
LIXINC Part # SI7214DN-T1-E3
Hersteller Vishay / Siliconix
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle SI7214DN-T1-E3 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI7214DN-T1-E3 Spezifikationen

Artikelnummer:SI7214DN-T1-E3
Marke:Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:Vishay / Siliconix
Serie:TrenchFET®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4.6A
rds auf (max) @ id, vgs:40mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:6.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
Leistung max:1.3W
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:PowerPAK® 1212-8 Dual
Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® 1212-8 Dual

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