FDMA2002NZ_F130 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMA2002NZ_F130

FDMA2002NZ_F130

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Artikelnummer	FDMA2002NZ_F130
LIXINC Part #	FDMA2002NZ_F130
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	INTEGRATED CIRCUIT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDMA2002NZ_F130 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FDMA2002NZ_F130 Spezifikationen

Artikelnummer:	FDMA2002NZ_F130
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.9A
rds auf (max) @ id, vgs:	123mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	220pF @ 15V
Leistung max:	650mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-VDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten:	6-MicroFET (2x2)