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PMWD19UN,518

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Artikelnummer	PMWD19UN,518
LIXINC Part #	PMWD19UN,518
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PMWD19UN,518 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PMWD19UN,518 Spezifikationen

Artikelnummer:	PMWD19UN,518
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5.6A
rds auf (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	28nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1478pF @ 10V
Leistung max:	2.3W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-TSSOP