SI3588DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI3588DV-T1-GE3 | SI3588DV-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI3588DV-T1-GE3

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Artikelnummer	SI3588DV-T1-GE3
LIXINC Part #	SI3588DV-T1-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SI3588DV-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SI3588DV-T1-GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SI3588DV-T1-GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.5A, 570mA
rds auf (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	450mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Leistung max:	830mW, 83mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten:	6-TSOP