TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8212-H(TE12LQ,M | TPC8212-H(TE12LQ,M Inventory, Best Pricing

TPC8212-H(TE12LQ,M

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Artikelnummer	TPC8212-H(TE12LQ,M
LIXINC Part #	TPC8212-H(TE12LQ,M
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TPC8212-H(TE12LQ,M PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TPC8212-H(TE12LQ,M Spezifikationen

Artikelnummer:	TPC8212-H(TE12LQ,M
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6A
rds auf (max) @ id, vgs:	21mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	840pF @ 10V
Leistung max:	450mW
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOP (5.5x6.0)