SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZ900DT-T1-GE3 | SIZ900DT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZ900DT-T1-GE3

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Artikelnummer	SIZ900DT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZ900DT-T1-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SIZ900DT-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SIZ900DT-T1-GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SIZ900DT-T1-GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	24A, 28A
rds auf (max) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	45nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1830pF @ 15V
Leistung max:	48W, 100W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-PowerPair™
Gerätepaket des Lieferanten:	6-PowerPair™